拉曼光譜專題2|拉曼光譜中的共聚焦方式，您選對了嗎？—— 共聚焦技術(shù)與 AUT-XperRam 共聚焦顯微拉曼光譜儀系統(tǒng)什么是共聚焦技術(shù)：共聚焦技術(shù)的核心就像給相機(jī)和探測器配備了一對 “精準(zhǔn)定位的眼睛”。通過獨(dú)特的共聚焦設(shè)計(jì)，它能精準(zhǔn)鎖定特定焦平面，只接收來自那里的光信號，真正實(shí)現(xiàn) “所見即所得”。想象一下，在科學(xué)探測的戰(zhàn)場上，非焦平面的信息就像搗亂的 “小怪獸”，會干擾目標(biāo)信號，讓成像變得模糊不清。而共聚焦技術(shù)憑借精確控制焦平面的超能力，將這些 “小怪獸” 統(tǒng)統(tǒng)過濾掉，保證成像的純凈度和準(zhǔn)確性，為我們呈現(xiàn)高質(zhì)量的圖像。這項(xiàng)技術(shù)廣泛應(yīng)用于生物學(xué)、材料科學(xué)和醫(yī)學(xué)等多個領(lǐng)域。在生物學(xué)中，它幫助科學(xué) ...

拉曼光譜專題3|揭秘拉曼光譜儀光柵選擇密碼，解鎖微觀shi界的神奇利器在微觀shi界的探索之旅中，拉曼光譜儀無疑是科研人員和工程師們的得力助手。而在拉曼光譜儀中，衍射光柵扮演著至關(guān)重要的角色，它能將多色光分離成其組成的波長，助力我們看清物質(zhì)的特性。今天，昊量講堂就來帶大家深入了解，如何為拉曼光譜儀挑選合適的衍射光柵！衍射光柵在拉曼光譜儀中的工作原理堪稱精妙。它能把收集到的拉曼散射的組成波長，巧妙地分離到 CCD 相機(jī)的不同像素上進(jìn)行檢測。毫不夸張地說，每一臺拉曼光譜儀都至少需要一個衍射光柵，而很多時(shí)候，為了讓儀器能更好地適配不同樣品和激發(fā)波長，還會配置多個光柵。那么，在為拉曼光譜儀選擇衍射光柵 ...

拉曼光譜專題4|解鎖拉曼分析密碼：光譜分辨率的奧秘與應(yīng)用你是否想過，在微觀的分子shi界里，如何精準(zhǔn)區(qū)分相似的化合物，看透材料的應(yīng)力和壓力效應(yīng)？答案就藏在拉曼光譜的 “幕后英雄”—— 光譜分辨率里！拉曼光譜蘊(yùn)含著海量信息，而光譜分辨率堪稱從中提取關(guān)鍵信息的 “黃金鑰匙”。分辨率越高，我們就越能像擁有 “火眼金睛” 般，清晰區(qū)分相似化合物、辨別分子結(jié)構(gòu)的細(xì)微差異，還能精準(zhǔn)測量材料的應(yīng)力和壓力變化?？梢哉f，選對光譜分辨率，拉曼測量實(shí)驗(yàn)就成功了一半！光譜分辨率（R）到底是什么？簡單來說，它是光譜分辨細(xì)節(jié)特征的能力，公式為 R = λ/Δλ，其中 Δλ 是在波長為 λ 時(shí)能區(qū)分開的Min波長差。在拉曼 ...

用于12.5Gbit/s光互連的高速1.3um VCSEL在過去的幾年里，在1.3um波長范圍內(nèi)發(fā)射的長波長垂直腔表面發(fā)射激光器（VCSELs）在器件性能方面取得了長足的進(jìn)步，并達(dá)到了一定的成熟度，可以進(jìn)入工業(yè)應(yīng)用。雖然成熟的GaAs基技術(shù)利用GaInNA的有源區(qū)擴(kuò)展到約1.3um，但許多方法表明，InP基器件概念可以獲得優(yōu)異的性能，這些概念受益于AlGaInAs/InP應(yīng)變量子阱的優(yōu)異增益特性，并通過使用介電鏡、散熱器或晶片鍵合技術(shù)來規(guī)避熱問題。我們的解決方案是一種基于InP的單片方法，使用具有自完成電流和折射率引導(dǎo)的埋隧道結(jié)（BTJ）。利用這一概念，我們zui近展示了1.55um波長的器件 ...

光束整形在金屬增材制造應(yīng)用中的優(yōu)勢激光熔覆是一種制造（或修復(fù)）金屬部件的工藝，這些部件的尺寸通常比使用選擇性激光熔化制造的金屬部件大。要“添加”的金屬可以是細(xì)粉的形式，小心地吹入激光束的焦點(diǎn)，也可以是細(xì)線的形式，慢慢地送入激光束的焦點(diǎn)。激光聚焦光學(xué)元件和要添加的金屬的組裝稱為熔覆頭。通過在 3 軸、4 軸甚至 5 軸上移動熔覆頭，可以實(shí)現(xiàn)大型和復(fù)雜的組件幾何形狀。光束整形在優(yōu)化激光增材制造工藝和增強(qiáng) SLM 和激光熔覆的優(yōu)勢方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。通過定制激光束的形狀、強(qiáng)度分布和尺寸，光束整形技術(shù)具有幾個優(yōu)勢：提高表面質(zhì)量： 光束整形允許精確控制能量分布，從而提高表面光潔度和零件質(zhì)量。它有助 ...

鎖相放大相機(jī)在NV色心成像中的應(yīng)用NV色心（氮-空位色心）是金剛石中由氮原子和鄰近空位形成的缺陷，其基態(tài)能級在外磁場作用下產(chǎn)生劈裂，在此基礎(chǔ)上通過光探測磁共振（ODMR）可檢測磁場強(qiáng)度。本文提出一種基于鎖相放大相機(jī)的NV色心磁成像方法。其通過鎖相放大相機(jī)可以同步各個像素采集特定頻率熒光信號。實(shí)驗(yàn)表明，該方法可實(shí)時(shí)解析NV色心熒光強(qiáng)度在一定磁場強(qiáng)度下的周期性響應(yīng)，進(jìn)而測量實(shí)驗(yàn)所施加的磁場強(qiáng)度。NV色心磁成像簡介圖1 NV色心金剛石晶格結(jié)構(gòu)圖NV色心（Nitrogen-Vacancy Center）是金剛石晶格中的一種原子級點(diǎn)缺陷，由鄰近碳空位的一個氮原子替代碳原子構(gòu)成。其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)賦予其多維度物 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波長上實(shí)現(xiàn)84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-MLSE已知MLSE是線性帶寬受限信道非常佳的接收器。由于這種均衡器的復(fù)雜性隨著內(nèi)存呈指數(shù)增長，在MLSE前面使用FFE是縮短系統(tǒng)脈沖響應(yīng)和減少M(fèi)LSE所需內(nèi)存的有效解決方案。基本上，MLSE取代了FFE之后的硬決策閾值，如圖3所示。因此，選擇21個系數(shù)的分?jǐn)?shù)間隔FFE與不同內(nèi)存大小的MLSE相結(jié)合。MLSE以每個符號1個樣本運(yùn)行，并靜態(tài)運(yùn)行；也就是說，它是在開始時(shí)訓(xùn)練的，之后就不再改變了。沿著的路線，我們使用215個接收樣本和發(fā)送序列第1周期的相應(yīng)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)估計(jì)信道矩陣的概率密度函數(shù)（PDFs）的平均值 ...

高能效量子級聯(lián)激光器量子級聯(lián)激光器（qcl）是基于半導(dǎo)體量子阱的子帶間躍遷。當(dāng)電子從前面的注入?yún)^(qū)進(jìn)入活躍區(qū)，在上下激光能級之間經(jīng)歷輻射躍遷，并隨后被提取到下一個下游注入?yún)^(qū)時(shí)，產(chǎn)生光子。電子從注入?yún)^(qū)進(jìn)入下一個活躍區(qū)是通過注入地能級和上激光能級之間的共振隧穿發(fā)生的。隧穿速率，以及許多其他性能相關(guān)參數(shù)，可以通過量子設(shè)計(jì)來設(shè)計(jì)，例如，通過耦合強(qiáng)度的設(shè)計(jì)，耦合強(qiáng)度被定義為注入器地面能級和上激光能級在完全共振時(shí)能量分裂的一半。理論分析表明，快速隧穿速率是實(shí)現(xiàn)高激光壁塞效率（WPE）的關(guān)鍵因素。一方面，隧穿速率越快，所能支持的Max工作電流密度就越高，因此電流效率（即激光器工作在高于閾值多遠(yuǎn)的地方）也就越高 ...

量子級聯(lián)激光器：長波紅外（λ>6 μm）的設(shè)計(jì)qcl今天能夠在λ = 3-24 μm范圍內(nèi)發(fā)光，并且z近已經(jīng)引入到太赫茲域，可能導(dǎo)致光電集成的新水平由于有可能利用為電信/數(shù)據(jù)通信組件市場開發(fā)的已經(jīng)成熟的InP和GaAs技術(shù)，qcl已經(jīng)顯示出令人印象深刻的快速技術(shù)發(fā)展。自1994年成立以來，2QC激光器僅在幾年后就實(shí)現(xiàn)了室溫（RT）脈沖操作，并在2008年實(shí)現(xiàn)了連續(xù)（CW） RT操作。由于不斷推動這項(xiàng)技術(shù)的工業(yè)化，由Cho首創(chuàng)的分子束外延（MBE）進(jìn)行的初始材料開發(fā)工作近年來已擴(kuò)展到更標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)平臺，用于材料生長，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）mocvd生長的QC激光器已經(jīng)迅速達(dá)到了與 ...

量子級聯(lián)激光器-長波紅外（λ>6 μm）的材料與制造封裝MOCVD特別適合生長非常厚的層，通常包括在QCL結(jié)構(gòu)中，需要很長的生長時(shí)間。為了得到非常尖銳的多量子阱界面，對襯底溫度、界面切換機(jī)制、生長速率、V/III比等生長參數(shù)進(jìn)行了迭代生長條件優(yōu)化。雖然還沒有完全解釋，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用。模擬和實(shí)測x射線衍射曲線對比如圖1所示。測量是在用于MWIR QCL設(shè)計(jì)的InGaAs/InAlAs多層材料上進(jìn)行的，生長應(yīng)變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應(yīng)變平衡?？偟膩碚f，需要在完整的結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)少量的殘余應(yīng)變，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認(rèn)為材料質(zhì)量好。仿真曲線與實(shí)驗(yàn)曲線吻合較好 ...