時間門控SPAD陣列與非視域成像中的關(guān)鍵散射特性研究非視域成像，旨在實現(xiàn)對視線之外隱藏物體的探測與重構(gòu)，是近年來光電探測領(lǐng)域的前沿焦點。這項技術(shù)借助于一個中介面（如墻壁、地面），通過捕獲從隱藏目標反射并再次經(jīng)由中介面散射回來的微弱光信號，來“繞彎”看清拐角后的景物。在眾多技術(shù)路徑中，基于時間門控SPAD（單光子雪崩二極管）陣列的成像方法，因其具有凝視成像、高時間分辨率、設(shè)備集成度高等優(yōu)勢，被視為走向?qū)嵱没年P(guān)鍵技術(shù)之一。圖1：基于 TG-SPAD 陣列的非視域成像原理示意圖一、 技術(shù)核心：為何要研究中介面的散射特性？在非視域成像系統(tǒng)中，中介面并非理想的鏡子。當(dāng)光子攜帶隱藏目標的信息返回中介面時 ...

基于細胞微流控的阻抗測試解決方案摘要基于細胞微流控的阻抗測試技術(shù)，作為一種新興的技術(shù)，結(jié)合了微流控芯片技術(shù)與電阻抗譜（EIS）技術(shù)，廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)、細胞分析以及微流控系統(tǒng)的研究與開發(fā)。這種技術(shù)能夠在不依賴光學(xué)顯微鏡的情況下，實現(xiàn)對微流控系統(tǒng)中液體流動、界面行為以及細胞狀態(tài)的實時監(jiān)測和檢測。本文將從微流控技術(shù)、電阻抗測試原理、細胞應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢等方面進行討論。一、技術(shù)背景1.1微流控芯片的基本原理與技術(shù)特點微流控技術(shù)通過微型化的流體通道和精密的流體控制，能夠在微小尺度上實現(xiàn)液體的操控。微流控芯片通常包括多個微通道、閥門、泵和傳感器等組件，能夠?qū)α黧w進行精確的處理和控制。與傳統(tǒng)的宏觀流體 ...

單模光纖在通信領(lǐng)域中的重要地位摘要：單模光纖之所以在現(xiàn)今信息傳輸系統(tǒng)中處于主導(dǎo)地位，是由于單模光纖避免了多模光纖嚴重的本征模間色散、模噪聲以及傳輸中的其他效應(yīng)，從而使單模光纖中信號傳輸?shù)乃俣扰c容量遠遠高于多模光纖。一、單模光纖的應(yīng)用單模光纖通信技術(shù)是光纖應(yīng)用技術(shù)的一個重要應(yīng)用方向，它是以單模光纖技術(shù)、激光技術(shù)和光電集成技術(shù)為基礎(chǔ)而發(fā)展起來的。單模光纖通信是以光纖作為傳輸媒介、光波為載頻的一種通信手段。即利用近紅外區(qū)域波長1000nm左右的光波作為信息的載波信號，把電話、電視、數(shù)據(jù)等電信號調(diào)制到光載波上，再通過光纖傳輸?shù)囊环N通信方式。單模光纖做光纖通信的重要傳輸媒介，其重要地位不言而喻，因此了解 ...

應(yīng)用探究|不再高價低效！Covesion PPLN開啟SWIR甲烷單光子檢測新時代可部署的溫室氣體檢測解決方案對于工業(yè)場所中的環(huán)境監(jiān)測至關(guān)重要。美國2024的一項研究表明，工業(yè)甲烷排放量是政府估計值的三倍，這對于環(huán)境和經(jīng)濟都有重大影響。單光子激光雷達技術(shù)為高靈敏度直接探測提供了一種途徑。許多溫室氣體分子，如甲烷，在中紅外（MIR）光譜區(qū)域具有基頻吸收帶，在短波紅外（SWIR）區(qū)域則具有倍頻吸收帶。然而，在這些波長范圍內(nèi)，高效的單光子探測器選擇受限，超導(dǎo)納米線探測器（SNSPDs）需要大型低溫冷卻系統(tǒng)，不適用于許多現(xiàn)場的應(yīng)用。銦鎵砷單光子雪崩二極管（InGaAs SPAD）探測器廣泛用于短波紅外 ...

SSMF和64Gb/s背靠背與1.3umVCSEL無DSP和實時NRZ傳輸50Gb/s超過15km-實驗裝置作為云計算、搜索引擎和社交媒體等日益流行的互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的基礎(chǔ)，數(shù)據(jù)中心需要處理快速增長的信息量。這給數(shù)據(jù)中心內(nèi)部和數(shù)據(jù)中心之間的鏈路帶來了巨大的壓力，促使業(yè)界和學(xué)術(shù)界開發(fā)400G及以上光鏈路的解決方案，以及當(dāng)今經(jīng)濟高效的多模VCSELs的后續(xù)技術(shù)。這些應(yīng)用的光纖長度范圍從100米到2公里（數(shù)據(jù)中心內(nèi)鏈路），至少10公里（數(shù)據(jù)中心間鏈路）。雖然許多提出的解決方案依賴于III-V或硅光子學(xué)材料系統(tǒng)中實現(xiàn)的外部調(diào)制，但基于直接調(diào)制VCSELs的鏈路具有提供低功耗、低成本和低復(fù)雜性解決方案的潛力。 ...

低功耗SiGe VCSEL驅(qū)動和TIA工作在2.5 V的40Gb /s 1.5μm VCSEL鏈路直接調(diào)制激光電流的高速垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）驅(qū)動器有兩種配置：陽極驅(qū)動和陰極驅(qū)動。陽極驅(qū)動有可能降低VCSEL驅(qū)動器的供電電壓，而陰極驅(qū)動避免在高速路徑中使用較慢的p型晶體管。但兩者仍有一個共同點，即VCSEL驅(qū)動器在多個電源電壓下工作以降低功耗，激光電源電壓范圍為3.3V至5.8V。在本文中，我們將進一步關(guān)注陰極驅(qū)動，并提出一種解決方案，以擺脫多個電源電壓。陰極驅(qū)動VCSEL變送器可以在輸出端使用反向端接電阻來實現(xiàn)，以改善轉(zhuǎn)換時間。不幸的是，這在驅(qū)動器的供電電壓和共陽極激光的供電電壓之 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波長上實現(xiàn)84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-實驗結(jié)果在文中，展示并討論了使用不同均衡器結(jié)構(gòu)獲得的結(jié)果?；贚MS準則的整個均衡器結(jié)構(gòu)如圖3所示為通用框圖。圖3自適應(yīng)均衡結(jié)構(gòu)框圖。W為下采樣因子，μ為步長，x(k)為接收信號，y(k)為訓(xùn)練符號，d(k)為解碼符號。A.線性FFE首先，對一個簡單的FFE的性能進行了研究和評估。在圖4中，描述了不同傳輸距離下進入PIN/TIA的BER與接收光輸入功率（ROP）的關(guān)系。將均衡化后得到的幾個眼圖作為插圖添加，以顯示FFE后的信號質(zhì)量。采用分數(shù)間隔的FFE，抽頭系數(shù)計數(shù)為21，如圖7(A)所示，超過該系數(shù)就 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波長上實現(xiàn)84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-實驗設(shè)置VCSEL的結(jié)構(gòu)部署的單模短腔VCSEL基于Vertilas獨特的InP埋地隧道結(jié)（BTJ）設(shè)計，具有非常短的光學(xué)腔。短腔的概念是通過在VCSEL的上鏡和下鏡上部署介電材料來實現(xiàn)的。介質(zhì)材料的高折射率使得僅使用3.5對反射鏡即可實現(xiàn)非常高反射率的分布式布拉格反射器（DBR），與需要30-40對反射鏡的半導(dǎo)體DBR相比，DBR要薄得多。這使有效腔長度減少了50%以上，并大大降低了光子壽命，這一效應(yīng)直接增加了器件的帶寬InPBTJVCSEL概念包括一個特定的處理步驟，其中大部分半導(dǎo)體材料被蝕刻掉，為 ...

垂直磁化MgO/Pt/Co異質(zhì)結(jié)構(gòu)中自旋反射誘導(dǎo)的無場磁化開關(guān)在這項研究中，我們證明了MgO/Pt/Co異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的無場SOT開關(guān)，通過與介電MgO層接口來調(diào)制Pt內(nèi)的自旋反射和自旋密度。通過異常霍爾電壓環(huán)位移測量，我們確定在沒有外部磁場的情況下，SOT作為有效的面外磁場對磁化強度起作用。通過替換MgO層并將其與高導(dǎo)電性Ti或Pt進行比較，我們證實MgO確實負責(zé)無場SOT開關(guān)。此外，MgO的厚度依賴性表明，在5和8 nm之間的非常佳的開關(guān)比高達80%。這項工作提供了利用介電/HM界面處的自旋反射來實現(xiàn)無場SOT磁化開關(guān)的技術(shù)，對于開發(fā)大規(guī)模集成的SOT- mram和自旋邏輯器件具有重要意義。此 ...

量子級聯(lián)激光器-長波紅外（λ>6 μm）的材料與制造封裝MOCVD特別適合生長非常厚的層，通常包括在QCL結(jié)構(gòu)中，需要很長的生長時間。為了得到非常尖銳的多量子阱界面，對襯底溫度、界面切換機制、生長速率、V/III比等生長參數(shù)進行了迭代生長條件優(yōu)化。雖然還沒有完全解釋，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用。模擬和實測x射線衍射曲線對比如圖1所示。測量是在用于MWIR QCL設(shè)計的InGaAs/InAlAs多層材料上進行的，生長應(yīng)變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應(yīng)變平衡。總的來說，需要在完整的結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)少量的殘余應(yīng)變，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認為材料質(zhì)量好。仿真曲線與實驗曲線吻合較好 ...