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TiePie 示波器多應(yīng)用介紹——電、熱、力、通訊信號探測一、電阻與接觸測量使用萬用表測電阻，只能測出某一瞬間值，有很多場景下靜態(tài)的測量很難得到正確的數(shù)據(jù)，需要進(jìn)行連續(xù)測量，例如：電位器在某個(gè)位置突然斷路，插頭在振動下間歇性斷路，線束在彎折過程中接觸時(shí)斷時(shí)續(xù)，熱敏電阻在溫度變化過程中的阻值跳變。TiePie無線示波器可以持續(xù)的測量電阻，并繪制時(shí)間-阻值曲線。操作也非常簡單，只需用測量線先短接做一次基準(zhǔn)測量，在 Gain / Offset 模塊里用 Neutralize 把線阻抵消掉，然后就可以開始測量，實(shí)現(xiàn)邊操作被測件、邊觀察電阻波形。對連接器做振動或溫度循環(huán)試驗(yàn)時(shí)，接觸電阻是否在某個(gè)工況下突 ...
基于細(xì)胞微流控的阻抗測試解決方案摘要基于細(xì)胞微流控的阻抗測試技術(shù)，作為一種新興的技術(shù)，結(jié)合了微流控芯片技術(shù)與電阻抗譜（EIS）技術(shù)，廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)、細(xì)胞分析以及微流控系統(tǒng)的研究與開發(fā)。這種技術(shù)能夠在不依賴光學(xué)顯微鏡的情況下，實(shí)現(xiàn)對微流控系統(tǒng)中液體流動、界面行為以及細(xì)胞狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測和檢測。本文將從微流控技術(shù)、電阻抗測試原理、細(xì)胞應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢等方面進(jìn)行討論。一、技術(shù)背景1.1微流控芯片的基本原理與技術(shù)特點(diǎn)微流控技術(shù)通過微型化的流體通道和精密的流體控制，能夠在微小尺度上實(shí)現(xiàn)液體的操控。微流控芯片通常包括多個(gè)微通道、閥門、泵和傳感器等組件，能夠?qū)α黧w進(jìn)行精確的處理和控制。與傳統(tǒng)的宏觀流體 ...
超連續(xù)激光作為光學(xué)相干層析成像的照明光源摘要：本文講述使用超連續(xù)譜激光器作為光學(xué)相干層析成像的照明光源，并對光學(xué)相干斷層掃描(OCT)的工作原理，OCT的形式進(jìn)行了簡述。光學(xué)相干斷層掃描(OCT)是一種顯微鏡和眼科檢查技術(shù)，它改變了視網(wǎng)膜和眼病的臨床分析范式。OCT在20世紀(jì)80年代首次以掃描激光檢眼鏡(SLO)的形式開發(fā)和實(shí)施，為顯微鏡中的超分辨率成像打開了新的窗口，允許分析形成視網(wǎng)膜的不同層以及青光眼和其他黃斑疾病的診斷和治療。OCT技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)與非侵入性有關(guān)，可以對生物組織進(jìn)行橫斷面活檢，并且該技術(shù)的高軸向分辨率使得篩選5到20微米深的視網(wǎng)膜層成為可能。OCT的一般工作原理：光學(xué)相干層 ...
寬可調(diào)諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調(diào)制（2）-Mems容器結(jié)構(gòu)與加工1.半VCSEL結(jié)構(gòu)BCB MEMS可調(diào)諧VCSEL的示意圖如圖1所示。它主要由兩部分組成：半VCSEL和MEMS DBR。半VCSEL主要由一個(gè)基于AlInGaAs的有源區(qū)、兩個(gè)InP熱和電流擴(kuò)散層、一個(gè)埋地隧道結(jié)（BTJ）和一個(gè)固定底部DBR反射鏡組成。由兩個(gè)重?fù)诫sp-AlGaInAs和n-GaInAs層組成的圓形BTJ限制了結(jié)構(gòu)中心的電流，以保證有源區(qū)域具有足夠高的電流密度。為了實(shí)現(xiàn)高斯基模的高放大，增益曲線和光模之間的重疊必須是z佳的。這只能在束腰符合BTJ半徑的情況下實(shí)現(xiàn)。因此，由于其不同的橫向 ...
時(shí)間門控SPAD陣列與非視域成像中的關(guān)鍵散射特性研究非視域成像，旨在實(shí)現(xiàn)對視線之外隱藏物體的探測與重構(gòu)，是近年來光電探測領(lǐng)域的前沿焦點(diǎn)。這項(xiàng)技術(shù)借助于一個(gè)中介面（如墻壁、地面），通過捕獲從隱藏目標(biāo)反射并再次經(jīng)由中介面散射回來的微弱光信號，來“繞彎”看清拐角后的景物。在眾多技術(shù)路徑中，基于時(shí)間門控SPAD（單光子雪崩二極管）陣列的成像方法，因其具有凝視成像、高時(shí)間分辨率、設(shè)備集成度高等優(yōu)勢，被視為走向?qū)嵱没年P(guān)鍵技術(shù)之一。圖1：基于 TG-SPAD 陣列的非視域成像原理示意圖一、 技術(shù)核心：為何要研究中介面的散射特性？在非視域成像系統(tǒng)中，中介面并非理想的鏡子。當(dāng)光子攜帶隱藏目標(biāo)的信息返回中介面時(shí) ...
單模光纖在通信領(lǐng)域中的重要地位摘要：單模光纖之所以在現(xiàn)今信息傳輸系統(tǒng)中處于主導(dǎo)地位，是由于單模光纖避免了多模光纖嚴(yán)重的本征模間色散、模噪聲以及傳輸中的其他效應(yīng)，從而使單模光纖中信號傳輸?shù)乃俣扰c容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于多模光纖。一、單模光纖的應(yīng)用單模光纖通信技術(shù)是光纖應(yīng)用技術(shù)的一個(gè)重要應(yīng)用方向，它是以單模光纖技術(shù)、激光技術(shù)和光電集成技術(shù)為基礎(chǔ)而發(fā)展起來的。單模光纖通信是以光纖作為傳輸媒介、光波為載頻的一種通信手段。即利用近紅外區(qū)域波長1000nm左右的光波作為信息的載波信號，把電話、電視、數(shù)據(jù)等電信號調(diào)制到光載波上，再通過光纖傳輸?shù)囊环N通信方式。單模光纖做光纖通信的重要傳輸媒介，其重要地位不言而喻，因此了解 ...
FYLA發(fā)布全新超連續(xù)譜激光器HORIZON，開啟熒光壽命成像與微納光學(xué)研究新篇章超快激光技術(shù)公司FYLA近日正式發(fā)布其新一代超連續(xù)譜激光器HORIZON。作為FYLA在超連續(xù)譜激光技術(shù)領(lǐng)域的又一力作，HORIZON以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用場景，為熒光壽命成像（FLIM）、微納光學(xué)等前沿研究領(lǐng)域提供了全新的解決方案。HORIZON：超連續(xù)譜激光技術(shù)的頂峰之作HORIZON超連續(xù)譜激光器延續(xù)了FYLA一貫的高性能與高可靠性，具備以下核心優(yōu)勢：光譜平坦性：HORIZON在不同波長處（尤其是在1060 nm左右）的光功率均保持在同一量級，這種卓越的光譜平坦性使其在多波長實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)出色，避免了因波長 ...
低功耗SiGe VCSEL驅(qū)動和TIA工作在2.5 V的40Gb /s 1.5μm VCSEL鏈路直接調(diào)制激光電流的高速垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）驅(qū)動器有兩種配置：陽極驅(qū)動和陰極驅(qū)動。陽極驅(qū)動有可能降低VCSEL驅(qū)動器的供電電壓，而陰極驅(qū)動避免在高速路徑中使用較慢的p型晶體管。但兩者仍有一個(gè)共同點(diǎn)，即VCSEL驅(qū)動器在多個(gè)電源電壓下工作以降低功耗，激光電源電壓范圍為3.3V至5.8V。在本文中，我們將進(jìn)一步關(guān)注陰極驅(qū)動，并提出一種解決方案，以擺脫多個(gè)電源電壓。陰極驅(qū)動VCSEL變送器可以在輸出端使用反向端接電阻來實(shí)現(xiàn)，以改善轉(zhuǎn)換時(shí)間。不幸的是，這在驅(qū)動器的供電電壓和共陽極激光的供電電壓之 ...
垂直磁化MgO/Pt/Co異質(zhì)結(jié)構(gòu)中自旋反射誘導(dǎo)的無場磁化開關(guān)在這項(xiàng)研究中，我們證明了MgO/Pt/Co異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的無場SOT開關(guān)，通過與介電MgO層接口來調(diào)制Pt內(nèi)的自旋反射和自旋密度。通過異?；魻栯妷涵h(huán)位移測量，我們確定在沒有外部磁場的情況下，SOT作為有效的面外磁場對磁化強(qiáng)度起作用。通過替換MgO層并將其與高導(dǎo)電性Ti或Pt進(jìn)行比較，我們證實(shí)MgO確實(shí)負(fù)責(zé)無場SOT開關(guān)。此外，MgO的厚度依賴性表明，在5和8 nm之間的非常佳的開關(guān)比高達(dá)80%。這項(xiàng)工作提供了利用介電/HM界面處的自旋反射來實(shí)現(xiàn)無場SOT磁化開關(guān)的技術(shù)，對于開發(fā)大規(guī)模集成的SOT- mram和自旋邏輯器件具有重要意義。此 ...
量子級聯(lián)激光器-長波紅外（λ>6 μm）的材料與制造封裝MOCVD特別適合生長非常厚的層，通常包括在QCL結(jié)構(gòu)中，需要很長的生長時(shí)間。為了得到非常尖銳的多量子阱界面，對襯底溫度、界面切換機(jī)制、生長速率、V/III比等生長參數(shù)進(jìn)行了迭代生長條件優(yōu)化。雖然還沒有完全解釋，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用。模擬和實(shí)測x射線衍射曲線對比如圖1所示。測量是在用于MWIR QCL設(shè)計(jì)的InGaAs/InAlAs多層材料上進(jìn)行的，生長應(yīng)變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應(yīng)變平衡。總的來說，需要在完整的結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)少量的殘余應(yīng)變，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認(rèn)為材料質(zhì)量好。仿真曲線與實(shí)驗(yàn)曲線吻合較好 ...
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