TiePie 示波器多應(yīng)用介紹——電、熱、力、通訊信號(hào)探測(cè)一、電阻與接觸測(cè)量使用萬(wàn)用表測(cè)電阻，只能測(cè)出某一瞬間值，有很多場(chǎng)景下靜態(tài)的測(cè)量很難得到正確的數(shù)據(jù)，需要進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，例如：電位器在某個(gè)位置突然斷路，插頭在振動(dòng)下間歇性斷路，線束在彎折過(guò)程中接觸時(shí)斷時(shí)續(xù)，熱敏電阻在溫度變化過(guò)程中的阻值跳變。TiePie無(wú)線示波器可以持續(xù)的測(cè)量電阻，并繪制時(shí)間-阻值曲線。操作也非常簡(jiǎn)單，只需用測(cè)量線先短接做一次基準(zhǔn)測(cè)量，在 Gain / Offset 模塊里用 Neutralize 把線阻抵消掉，然后就可以開(kāi)始測(cè)量，實(shí)現(xiàn)邊操作被測(cè)件、邊觀察電阻波形。對(duì)連接器做振動(dòng)或溫度循環(huán)試驗(yàn)時(shí)，接觸電阻是否在某個(gè)工況下突 ...

自旋電子泄漏-整合-具有自我重置和贏者通吃的神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的脈沖神經(jīng)元（二）本文制作了一系列Hall棒狀器件，并記錄了相應(yīng)的Kerr圖像，如圖2a， b所示。從圖2c中可以看出，測(cè)量到的主要和次要Kerr磁滯回線發(fā)生了明顯的變化，這證實(shí)了在CoFeB/Co的鐵偶聯(lián)層和SAF異質(zhì)結(jié)構(gòu)的底部硬層之間存在885 Oe的有效場(chǎng)。矯頑力和RKKY有效場(chǎng)的增強(qiáng)都?xì)w因于器件收縮和離子束刻蝕（IBE）過(guò)程中不可避免的外圍損傷。由于樣品中存在較高的IEC，因此在實(shí)驗(yàn)中使用恒定的- 860 Oe外部OOP場(chǎng)來(lái)補(bǔ)償RKKY場(chǎng)。簡(jiǎn)單地說(shuō)，我們首先在Hall bar的橫截面上注入7.5 mA的3 s脈沖電流，在Hall ...

基于細(xì)胞微流控的阻抗測(cè)試解決方案摘要基于細(xì)胞微流控的阻抗測(cè)試技術(shù)，作為一種新興的技術(shù)，結(jié)合了微流控芯片技術(shù)與電阻抗譜（EIS）技術(shù)，廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)、細(xì)胞分析以及微流控系統(tǒng)的研究與開(kāi)發(fā)。這種技術(shù)能夠在不依賴光學(xué)顯微鏡的情況下，實(shí)現(xiàn)對(duì)微流控系統(tǒng)中液體流動(dòng)、界面行為以及細(xì)胞狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和檢測(cè)。本文將從微流控技術(shù)、電阻抗測(cè)試原理、細(xì)胞應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等方面進(jìn)行討論。一、技術(shù)背景1.1微流控芯片的基本原理與技術(shù)特點(diǎn)微流控技術(shù)通過(guò)微型化的流體通道和精密的流體控制，能夠在微小尺度上實(shí)現(xiàn)液體的操控。微流控芯片通常包括多個(gè)微通道、閥門(mén)、泵和傳感器等組件，能夠?qū)α黧w進(jìn)行精確的處理和控制。與傳統(tǒng)的宏觀流體 ...

脈沖恢復(fù)假設(shè)一個(gè)高斯脈沖，脈沖寬度，并且中心頻率是800nm。那么時(shí)域下形狀為頻域下振幅和相位分布情況如下如果脈沖通過(guò)某個(gè)介質(zhì)，其恢復(fù)到時(shí)域情況下FROG是測(cè)量脈寬的一種方法，能夠脈沖在時(shí)域下的振幅和相位，以及頻域下的振幅和相位。方法是將脈沖分束為兩個(gè)后，一束稱為測(cè)量光，一束稱為門(mén)控光。門(mén)控光的相位可以通過(guò)外部點(diǎn)擊控制其延遲。然后兩束光匯聚到倍頻晶體，如果采用的是二倍頻則稱為SHG-FROG。兩束光是斜向照射晶體，混頻的激光則從正向出射。因?yàn)殚T(mén)控光是延遲可控制的，因此混頻后光束不同相位延遲下頻譜是不同的。例如上述光束混頻后時(shí)域如下頻域變換的情況如下頻域可以采用光譜儀接收，F(xiàn)ROG的振幅部分稱為 ...

脈沖相位根據(jù)的公式，可以計(jì)算得到不同波長(zhǎng)的情況下，大致一個(gè)波長(zhǎng)的周期時(shí)間光原本是一個(gè)電磁場(chǎng)，他一個(gè)振蕩的形式，因此有時(shí)間關(guān)于光強(qiáng)與相位之間的關(guān)系。同時(shí)根據(jù)傅里葉變換可知，他也是有頻率關(guān)于強(qiáng)度和相位的關(guān)系。比如有一個(gè)600nm附件的寬譜光源，同時(shí)他是一個(gè)脈沖的形式，那么他應(yīng)該是以振蕩的形式存在著，并且周期為2飛秒。如果是600nm附近的寬譜光源，并且不同不同波長(zhǎng)帶有不同相位對(duì)上述頻域信號(hào)進(jìn)行反夫傅里葉變換可以得到其時(shí)域下的信號(hào)，信號(hào)本身是振蕩的，因?yàn)樘綔y(cè)器無(wú)法響應(yīng)這么高頻率，因此平時(shí)只是看到他包絡(luò)。將他換成剛一般的形式，反傅里葉變換變成了振幅部分為：，振蕩部分為。因?yàn)楦道锶~變換對(duì)于時(shí)域特性不能很 ...

使用20GHzVCSEL在1525nm波長(zhǎng)上實(shí)現(xiàn)84Gb/sPAM-4在1.6kmSSMF-MLSE已知MLSE是線性帶寬受限信道非常佳的接收器。由于這種均衡器的復(fù)雜性隨著內(nèi)存呈指數(shù)增長(zhǎng)，在MLSE前面使用FFE是縮短系統(tǒng)脈沖響應(yīng)和減少M(fèi)LSE所需內(nèi)存的有效解決方案?；旧?，MLSE取代了FFE之后的硬決策閾值，如圖3所示。因此，選擇21個(gè)系數(shù)的分?jǐn)?shù)間隔FFE與不同內(nèi)存大小的MLSE相結(jié)合。MLSE以每個(gè)符號(hào)1個(gè)樣本運(yùn)行，并靜態(tài)運(yùn)行；也就是說(shuō)，它是在開(kāi)始時(shí)訓(xùn)練的，之后就不再改變了。沿著的路線，我們使用215個(gè)接收樣本和發(fā)送序列第1周期的相應(yīng)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)估計(jì)信道矩陣的概率密度函數(shù)（PDFs）的平均值 ...

以10.7Gb/s在99.7公里PON中傳輸自由運(yùn)行1550nm VCSEL-VCSEL的特征對(duì)寬頻數(shù)據(jù)服務(wù)的需求持續(xù)增加，推動(dòng)了現(xiàn)代數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)展。此外，傳統(tǒng)的基于銅纜或無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸方案的帶寬限制鼓勵(lì)了在接入網(wǎng)環(huán)境中部署寬帶光傳輸技術(shù)。光接入網(wǎng)的可持續(xù)部署需要可靠、廉價(jià)和節(jié)能的寬帶光源，這鼓勵(lì)了直接調(diào)制光鏈路的低成本激光源的發(fā)展。垂直腔面發(fā)射激光（VCSEL）技術(shù)是實(shí)現(xiàn)低成本寬帶信號(hào)源的潛在選擇。非冷卻VCSEL單元已被證明支持10Gb/s和20Gb/s的數(shù)據(jù)速率；工作在38Gb/s的冷卻VCSEL源也被提出。注入鎖定也被用于擴(kuò)展直接調(diào)制VCSEL器件的傳輸范圍。VCSEL源以10Gb/ ...

以10.7Gb/s在99.7公里PON中傳輸自由運(yùn)行1550nm VCSEL-結(jié)果與討論我們?cè)u(píng)估了系統(tǒng)內(nèi)關(guān)鍵點(diǎn)獲得的光信號(hào)，并利用不同長(zhǎng)度的PRBSs來(lái)評(píng)估系統(tǒng)對(duì)圖案長(zhǎng)度依賴效應(yīng)的敏感性。分別在35km、40km、50km（MS1）和99.7km（MS1和MS2）光纖色散補(bǔ)償傳輸后對(duì)傳輸信號(hào)進(jìn)行觀測(cè)。所獲得的眼圖未觀察到隨所使用的PRBS的變化而有顯著變化。使用長(zhǎng)度為27-1比特的PRBS，我們使用20GHz內(nèi)部光電探測(cè)器在示波器上觀察了眼圖，并給出了圖4所示的走線。除非另有說(shuō)明，進(jìn)入前置放大器的光功率電平控制在±20dBm，進(jìn)入PD的光功率電平控制在-9dBm。表2給出了傳輸上行鏈路中這些關(guān) ...

基于一階反轉(zhuǎn)曲線研究的溫度調(diào)制磁離子相及相變分析(一)磁性粒子是一種粒子狀的納米級(jí)磁化狀態(tài)。由于具有作為高密度信息載體的巨大潛力，磁性基板目前正被積極研究用于存儲(chǔ)、計(jì)算邏輯和非常規(guī)計(jì)算系統(tǒng)等應(yīng)用。磁skyrmions穩(wěn)定化要求系統(tǒng)有利于非平行相鄰自旋，這可以通過(guò)Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（DMI）和偶極相互作用來(lái)支持。鐵磁體(FM)-重金屬（HM）多層材料通常在室溫下穩(wěn)定磁性粒子，因?yàn)樵诰哂写笞孕?軌道耦合的FM和HM的界面處會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)界面- dmi。通過(guò)在堆棧中多次重復(fù)這些FM/HM層，增強(qiáng)了偶極相互作用，從而進(jìn)一步穩(wěn)定了磁天空。由于磁基粒子的穩(wěn)定性主要取決于其結(jié)構(gòu)扭轉(zhuǎn) ...

基于一階反轉(zhuǎn)曲線研究的溫度調(diào)制磁離子相及相變分析(二)使用原位MOKE成像，沿著圖2(b)和2(d)所示的三個(gè)關(guān)鍵磁場(chǎng)掃描識(shí)別域變換，負(fù)磁場(chǎng)掃描沿對(duì)角線表示為藍(lán)色虛線，兩個(gè)正磁場(chǎng)掃描與上峰和下谷峰對(duì)相交，表示為水平紅色虛線。為了驗(yàn)證與每個(gè)峰相關(guān)的域變換是一致的，我們捕獲了19.0°C的孤立天空粒子和26.0°C的天空粒子晶格的MOKE圖像。在補(bǔ)充材料中可獲得19.0°C， 23.0°C和26.0°C的其他支持MOKE圖像。圖3圖3(c)在19.0°c和圖3(f)在26.0°c時(shí)沿負(fù)磁場(chǎng)向上掃至上峰的HR處，均顯示條狀疇破裂為更短的段和天空區(qū)，留下條狀和天空區(qū)混合。然而，圖3(c)中的區(qū)域相距較 ...